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로옴, 테라헤르츠파 발진 디바이스 2세대 개발로 출력 4배 향상
로옴이 공명 터널 다이오드 기술을 적용한 테라헤르츠파 발진 디바이스 2세대 제품을 개발했습니다. 이 새로운 제품은 고출력 내부 구조를 사용하여 발진 출력을 기존 대비 네 배 향상시켰습니다. 2세대 제품은 1세대와 동일한 칩 크기를 유지합니다.
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로옴, 상면 방열 패키지 적용 차세대 SiC MOSFET 개발 양산
로옴은 열 관리 한계를 극복하고 실장 편의성을 높인 차세대 탄화규소(SiC) 전력 반도체 패키지를 개발했다. 이 제품은 제4세대 SiC MOSFET를 탑재한 상면 방열 면실장 패키지이다. 이는 전력 변환 디바이스의 열 관리 문제를 해결하는 데 중점을 …
