#SiC MOSFET
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로옴, 상면 방열 패키지 적용 차세대 SiC MOSFET 개발 양산
로옴은 열 관리 한계를 극복하고 실장 편의성을 높인 차세대 탄화규소(SiC) 전력 반도체 패키지를 개발했다. 이 제품은 제4세대 SiC MOSFET를 탑재한 상면 방열 면실장 패키지이다. 이는 전력 변환 디바이스의 열 관리 문제를 해결하는 데 중점을 …
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온세미 온라인 도구로 SiC MOSFET과 게이트 드라이버 조합을 쉽게 찾고 평가 가능하게
onsemi가 SiC MOSFET과 게이트 드라이버의 일치하는 조합을 찾고 평가할 수 있는 클라우드 기반 설계 환경인 Elite Pairing Studio를 출시했습니다. 이 도구는 엔지니어들이 관련 작업을 수행하기 전에 두 부품 간의 조합을 쉽게 탐…
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ROHM, SiC MOSFET에 TO-247급 냉각 기술 적용한 신규 패키지 출시
ROHM 반도체는 기존 TO-247-4L과 유사한 열 방출 성능을 제공하는 TSC3PAK 패키지를 출시했습니다. 이 패키지는 컴팩트한 SiC MOSFET에 적용되며 표면 실장 기술과 냉각 기술을 활용합니다. 이는 고성능 반도체 패키징 기술의 발전을 보…
