삼성전자와 SK하이닉스, 차세대 HBM 기술에 대한 다른 해법 제시
삼성전자와 SK하이닉스는 미국 스탠퍼드대에서 열린 핫칩스 2026에서 차세대 고대역폭메모리 기술에 대해 다른 전략을 공개했다. 삼성전자는 베이스 다이를 능동적 논리 칩으로 바꾸는 베이스 다이 능동화에 중점을 두었다. 반면 SK하이닉스는 적층 수 증가에 따른 다른 전략을 제시했다.
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