삼성전자는 HBM5 성능 향상을 위해 2나노 공정을 베이스다이에 도입할 계획이다. 이는 HBM5가 이전 세대인 HBM4E보다 약 50% 이상 빠른 동작 속도를 달성하는 데 필요하다. 이 기술 도입은 동작 속도와 전력 효율 개선을 목표로 한다.